반도체 제조는 재료 순도, 열 안정성, 플라즈마 에칭 저항성, 기계적 정밀도에 대해 매우 까다로운 요구를 요구합니다. 높은 저항률(>10¹⁴ Ω•cm), 높은 열전도율, 낮은 열팽창률, 우수한 유전 강도, 플루오린 플라즈마 부식 저항성 등으로 인해 질소 실리콘은 웨이퍼 가공 장비에서 필수적인 정밀 세라믹 부품이 되었습니다. 알루미늄과 석영과 비교할 때, 질화실콘 부품은 입자 오염을 크게 줄이고, 유지보수 주기를 연장하며, 수율을 개선하고, 더 발전된 공정 노드를 지원합니다. 동시에, 열전도율과 고온 강도는 가열 요소의 반응을 더 빠르게 하고 온도 분포를 균일하게 만들어 반도체 장비가 더 높은 출력과 낮은 에너지 소비를 향해 진화하는 데 도움을 줍니다.
고속 열 처리(RTP), MOCVD 히터, 플라즈마 에처 가열판과 같은 고온, 고순도 환경에 맞게 설계되었습니다. 질화실리콘 가열판은 세라믹 기판 내부나 표면에 저항성 페이스트를 인쇄하여 단일 가열 요소로 제조할 수 있으며, 우수한 열적 균일성, 빠른 가열 속도, 내식성, 금속 오염 방지를 제공합니다. 기존 금속 가열기와 비교할 때, 질소 가열 요소는 20% 이상 높은 열효율을 제공하여 웨이퍼 공정 온도를 더 정밀하게 제어하고 금속 이온 오염을 방지할 수 있습니다. 이들은 더 까다로운 차세대 반도체 제조 공정에 적합합니다.
